陶瓷電容(CeramicCapacitor)

　　陶瓷電容是以陶瓷材料作為介質材料，陶瓷材料有很多種，介電常數、穩定性都有不同，適用于不同的場合。

　　陶瓷電容，主要有以下幾種：

　　瓷片電容(CeramicDiscCapacitor)

　　瓷片電容的主要優點就是可以耐高壓，通常用作安規電容，可以耐250V交流電壓。

　　多層陶瓷電容(Multi-layerCeramicCapacitor)

　　多層陶瓷電容，也就是MLCC，片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前世界上使用量最大的電容類型，其標準化封裝，尺寸小，適用于自動化高密度貼片生產。

　　由于多層陶瓷需要燒結瓷化，形成一體化結構，所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容，也叫獨石(Monolithic)電容。

　　陶瓷介質的分類

　　陶瓷介質主要分為四類：

　　ClassI：具有溫度補償特性的陶瓷介質，其介電常數大都較低，不超過200。通常都是順電性介質(Paraelectric)，溫度、頻率以及偏置電壓下，介電常數比較穩定，變化較小。損耗也很低，耗散因數小于0.01。

　　性質穩定，應用多的是C0G電容，也就是NP0。NP0是IEC/EN60384-1標準中規定的代號，即NegativePositiveZero，也就是用N和P來表示正負偏差。

　　由于介電常數低，C0G電容的容值較小，最大可以做到0.1uF，0402封裝通常最大只有1000pF。

　　ClassII，III：其中，溫度特性A-S屬于ClassII，介電常數幾千左右。溫度特性T-V屬于ClassIII，介電常數最高可以到20000，可以看出ClassIII的性能更加不穩定。根據IEC的分類，ClassII和III都屬于第二類，高介電常數介質。像X5R和X7R都是ClassII電容，在電源去耦中應用較多，而Y5V屬于ClassIII電容，性能不太穩定。

　　由于ClassII和III電容的容值最高可以做到幾百uF，但由于高介電常數介質，大都是鐵電性介質(Ferroelectric)，溫度穩定性差。此外，鐵電性介質，在直流偏置電壓下介電常數會下降。

　　ClassIV：制作工藝和通常的陶瓷材料不一樣，內部陶瓷顆粒都是外面一層很薄的氧化層，而核心是導體。這種類型的電容容量很大，但擊穿電壓很小。由于此類電容的性能不穩定，損耗高，現在在市面上很少見。