表面層陶瓷電容器采用在鈦酸鋇等半導體陶瓷表面形成的薄絕緣層作為介質層，半導體陶瓷可視為介質的串聯電路。利用鐵電陶瓷的高介電常數，有效地減小了介電層的厚度。這是制備微型陶瓷電容器的有效方法。在晶粒發育良好的鈦酸鋇半導體陶瓷表面包覆適量的金屬氧化物。在適當的溫度和氧化條件下熱處理后，涂層氧化物與鈦酸鋇形成低共晶相，沿開孔和晶界迅速擴散到陶瓷中，在晶界形成一層薄的固溶體絕緣層。

表面層陶瓷電容器采用在鈦酸鋇等半導體陶瓷表面形成的薄絕緣層作為介質層，半導體陶瓷可視為介質的串聯電路。表面層陶瓷電容器的絕緣表面層厚度根據形成方式和條件在0.01到100之間波動μ M。利用鐵電陶瓷的高介電常數，有效地減小了介電層的厚度。這是制備微型陶瓷電容器的有效方法。在晶粒發育良好的鈦酸鋇半導體陶瓷表面包覆適量的金屬氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）。在適當的溫度和氧化條件下熱處理后，涂層氧化物與鈦酸鋇形成低共晶相，沿開孔和晶界迅速擴散到陶瓷中，在晶界形成一層薄的固溶體絕緣層。這種薄的固溶體絕緣層的電阻率非常高（高達1012-1013）Ω· 雖然陶瓷顆粒仍然是半導體，但整個陶瓷體的表觀介電常數高達2× 104至8× 104.用這種陶瓷制成的電容器被稱為邊界層陶瓷電容器（BL電容器），隨著電子工業的迅速發展，迫切需要研制高擊穿電壓、小損耗、小體積、高可靠性的高壓陶瓷電容器。近20年來，國內外研制的高壓陶瓷電容器已廣泛應用于電力系統、激光電源、錄像機、彩電、電子顯微鏡、復印機、辦公自動化設備、航空航天、導彈、航海等領域。