片式壓敏電阻器是中用流延工藝將電極層和半導體功能陶瓷層交錯排布經燒結而成的半導體陶瓷元件，層間電極與元件的端面電極交錯相連，增大相對電極的有效面積，因而提高了元件的耐受浪涌電壓的能力。片式壓敏電阻器是一種對電壓敏感的電阻器，具有對稱的伏安特性，其阻值隨著外加電壓上升呈非線性下降，當電壓在一定范圍內進一步上升時，這種非線性響應更加劇烈。

片式壓敏電阻器是中用流延工藝將電極層和半導體功能陶瓷層交錯排布經燒結而成的半導體陶瓷元件，層間電極與元件的端面電極交錯相連，增大相對電極的有效面積，因而提高了元件的耐受浪涌電壓的能力。

片式壓敏電阻器的壓敏電壓即浪涌響應電壓取決于兩個電極層間厚度，與整個元件的厚度無關。元件的通流容量主要由交錯層的數量決定，隨元件尺寸的增大而增大。

片式壓敏電阻器是一種對電壓敏感的電阻器，具有對稱的伏安特性，其阻值隨著外加電壓上升呈非線性下降，當電壓在一定范圍內進一步上升時，這種非線性響應更加劇烈。

直流作業電壓:在規定的環境條件下，保證片式電壓敏感電阻器的正常作業允許連續施加的最大直流電壓值也作為測量泄漏電流的參考點，該電壓通常小于部件的敏感電壓。

交流工作電壓：在規定的環境條件下，保證片式壓敏感電阻器正常工作所允許連續施加的最大交流電壓值。

最大浪涌電流(峰值電流Ip)在規定的脈沖波形(8/20us)和相應的電壓下，保證片式壓敏電阻正常工作的最大電流。這種脈沖可以從元件的任一端施加。

最大浪涌能源(能源耐力Es):在規定的脈沖波形(10/1000us)下，保證片式壓敏電阻能夠正常工作的最大脈沖能源。

漏電流（IL）:在非傳導模式下，該元件具有非常高的阻抗（接近1.0E 9歐姆），在系統中呈開路狀態，此時漏電流非常低（室溫下<5uA）。與齊納二極管不同，片式壓敏電阻具有低泄漏電流特性，在最高工作溫度下，泄漏電流不超過50uA。