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電容器
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關于瓷片電容電磁兼容設計的誤區

文章出處:作者:人氣:-發表時間:2016-09-01 16:24:00

 

  關于瓷片電容電磁兼容設計的誤區


  瓷片電容電磁兼容的問題常發生于高頻狀態下,個別問題(電壓跌落與瞬時中斷等)除外。


  高頻思維,總而言之,就是器件的特性、電路的特性,在高頻情況下和常規中低頻狀態下是不一樣的,如果仍然按照普通的控制思維來判斷分析,則會走入設計的誤區。


  瓷片電容在中低頻或直流情況下,就是一個儲能組件,只表現為一個電容的特性,但在高頻情況下,它就不僅僅是個電容了,它有一個理想電容的特性,有漏電流(在高頻等效電路上表現為R),有引線電感,還在導致電壓脈沖波動情況下發熱的ESR(等效串聯電阻),瓷片電容能幫我們設計師得出很多有益的設計思路。


  第一、按照常規思路,1/2πfc是電容的容抗,應該是頻率越高,容抗越小,濾波效果越好,即越高頻的雜波越容易被泄放掉,但事實并非如此,因為引線電感的存在,一支電容僅僅在其1/2πfc=2πfL等式成立的時候,才是整體阻抗最小的時候,濾波效果才最好,頻率高了低了都會濾波效果下降,由此就可以分析出瓷片電容結論。

 

新晨陽瓷介電容


  為什么在IC的VCC端都會加兩支電容,一支電解的,一支瓷片的,并且容值一般相差100倍以上多一點。就是兩支不同的電容的諧振頻率點岔開了一段距離,既利于對稍高頻的濾波,也利于對較低頻的濾波。


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